SST力争闪速存储器第三把交椅 2008/03/18
Bing Yeh最近成功地使SST公司在2001年销售额达10亿美元。这对一家2年之前还只有1.25亿美元规模的公司，其成就是显而易见的，2001年堪称“具有历史性转变意义”的一年。11年前Yeh与人合办了这家闪存芯片设计公司，作为SST公司的总裁兼首席执行官，Yeh大幅削减制造成本，扩大其产品线并向多样化发展，并增加许可协议。结果，SST公司现在的版税收入在2000年第3季度达到了创纪录的1.67亿美元，其盈利更是从1999年同期的45万美元提高到3 ,630万美元。
Yeh声称，SST公司肯定将在2001年成为美国的第三大闪存供应商，紧随英特尔和AMD公司之后。据Semico研究公司预测，2000年代码和大容量存储应用的闪存市场总规模达到99亿美元。SST公司作为一家无晶圆厂，拥有6家晶圆代工厂，因SuperFlash产品而著名。SuperFlash基于CMOS和NOR闪存技术，其编码和数据存储应用中采用了小扇区消除方法。这种低压架构特别适用于嵌入式内存，因为与其它竞争设计相比，它能够在每个浮动栅中多存储几千个电子，从而并行编制更多字节。
SST公司与三星、三洋和精工-爱普生等公司都已经签订了代工协议。台积电也正在采用SuperFlash技术为50多家客户服务。此外，国家半导体公司预期会在2001年在位于缅因州南波特兰的工厂大力推广使用SuperFlash技术，这样SST 公司明年的晶圆产量就可能翻番。
由于公司产品正在向0.25和0.18微米工艺转变，该公司预计其2001年产量将会翻三番。到2002年，SST公司的合作伙伴将会转而使用0.13微米，Yeh声称：“这会将我们推上此项技术发展的最前沿。”
SST公司的成功秘诀在于快速响应能力以及Yeh为公司创造滩头阵地的能力，这为公司打开更大市场提供了可能。
64兆闪存是SST公司成长最为迅速的产品，在该公司的收入中排名居前。对于低密度闪存市场，SST正调试其离散和嵌入式SuperFlash许可程序，且很可能从其中获得最多的版税。尽管高密度产品将会在2001年创造绝大部分收入，该公司预期将会在版税中创纪录地收益3,000万美元。Yeh称去年4月份推出的自动调整存储单元，如果采用0.18或0.13微米行宽，就可能将其闪存集成电路的面积缩小40%以上。
作为最终目标，SST公司希望打入每一类闪存市场，虽然它现在仍专注于高密度、基于NAND的大容量存储领域。该公司也在同时努力满足NOR闪存市场的需要，推出尽可能多的针对特定应用的元件。该公司现已有60种产品。
