期串行闪存将取代并行闪存，SST计划提高产量2008/03/18
无晶圆厂闪存开发商超捷半导体(SST)日前表示，计划通过与宏力半导体(Grace Semiconductor)、精工爱普生(Seiko Epson)和台积电的合同提高生产串行闪存(serial flash)的能力。
SST表示，2005年全球串行闪存需求量将超过5亿个。SST援引市场调研公司Web-Feet Research的首席执行官Alan Niebel的话称，2006年串行闪存需求量将增长一个数量级。
SST表示，光盘驱动器和硬盘驱动器、LCD显示器和LCD电视，以及MP3播放机的微型驱动器，将推动对于串行非易失性内存的需求。SST计划增加512-Kb至16-Mb串行闪存的产量。
“多年以来，SST一直推动产业由并行转向串行闪存。串行闪存的优点是可以减少电路板空间、降低功耗和系统成本。看来大量客户正向这种更先进的技术迁移。”Niebel表示，“预计2006年串行闪存需求量将增长一个数量级。”SST的总裁兼首席执行官叶炳辉(Bing Yeh)表示：“我们预期2005年将是串行闪存产品的分水岭，我们相信，SST已做好准备。”
同样预期串行非易失存储器将取代并行的非易失性存储器，无晶圆芯片公司Saifun Semiconductor Ltd.也扩张了其串行EEPROM存储器。
